Европейската комисия одобри държавни субсидии в размер на 319 милиона евро за модернизация на завод на Infineon Technologies във Вилах, Австрия. Компанията си поставя за цел да стане първата в света, която ще въведе масово производство на силови полупроводникови компоненти, базирани на галиев нитрид (GaN), използвайки 300-милиметрови пластини. Общата инвестиция в проекта ще възлезе на приблизително 1,1 милиарда евро.
Средствата ще бъдат използвани за разширяване на съществуващия производствен капацитет на Infineon в провинция Каринтия. Проектът, наречен „Empowering Fab“, предвижда преминаване от производство на GaN компоненти върху 200-милиметрови пластини към по-големи, 300-милиметрови пластини.
Според Infineon, очаква се първите продукти от модернизираното съоръжение да излязат на пазара до края на 2027 г., като инвестиционната програма ще продължи до 2034 г.
През 2024 г. Infineon усвои технологията за обработка на 300-мм пластини за силова електроника, базирана на галиев нитрид. Досега подобни компоненти се произвеждаха предимно върху 200-мм пластини.
Увеличаването на диаметъра на пластините позволява производство на приблизително 2,3 пъти повече чипове от една пластина, което – според Infineon – ще намали разходите и ще повиши ефективността при използване на оборудването.
